【摘 要】
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本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其
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本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性．
In this paper, the luminescent properties of erbium doped silica-rich silicon thin films were studied. The silicon-rich silicon oxide film (60% oxygen content) was grown by PECVD, and erbium was ion-implanted at room temperature. After annealing at 800 ℃ for 5 min, a strong 1.54 μm photoluminescence was obtained at 10 ~ 300 K. Luminescence intensity decreases with increasing temperature, and its temperature quenching activation energy is 14.3meV. The emission spectrum shows that the Er-O luminescent center in silica-rich silicon still has Td symmetry.
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