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用三辛基氧膦(TOPO)化学修饰钨电极预富集-石墨炉原子吸收法测定镓。在5.0×10<sup>-2</sup>mol/L HAc 底液中,Ga(Ⅲ)被络合富集于 TOPO-钨修饰电极表面,测定线性范围7.17×10<sup>-10</sup>~1.43×10<sup>-7</sup>mol/L,检测下限1.43×10<sup>-10</sup>mol/L,相对标准偏差5.