【摘 要】
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据《Compound Semiconductor》2007年第4期报道,富士通公司和KDDI通信公司开发出了基于GaN HEMT技术的25W的RF放大器。该公司计划将宽禁带半导体技术嵌入到射频系统基站中去
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据《Compound Semiconductor》2007年第4期报道,富士通公司和KDDI通信公司开发出了基于GaN HEMT技术的25W的RF放大器。该公司计划将宽禁带半导体技术嵌入到射频系统基站中去。这项新的功放业务将在今年下半年启动。自2006年5月起,富士通和KDDI合作开发了一个项目,研发这些WiMAX
According to “Compound Semiconductor” 2007 the fourth period reported, Fujitsu and KDDI communications company has developed based on GaN HEMT 25W RF amplifier technology. The company plans to embed wide band-gap semiconductor technology into its radio-frequency base station. The new amplifier business will start in the second half of this year. Since May 2006, Fujitsu has partnered with KDDI to develop a project to develop these WiMAX
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