射频负偏压与放电电流对c—BN薄膜形成的影响

• 作 者: 田晶泽 夏立芳
• 机 构: 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
• 出 处: 中国有色金属学报
• 发表日期: 1999年3期
• 关键词: 立方氮化硼 薄膜成形 活性反应蒸发 射频负偏压 cubic boron nitride films forming active reaction evap

用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）装置，在Ｎ２／Ａｒ混合等离子体弧光放电气氛下，通过电子束蒸镀纯硼，同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法，在单晶硅（１００）基片上成功地合成了立方氮化硼（ＣｕｂｉｃＢｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ，简称ｃ－Ｂｎ）薄膜，并对基片射频自偏压和等离子体弧光放电电流对ｃ－ＢＮ膜形成的影响进行了研究。用富立叶变换红外９ＦＴＩＲ）透射谱和Ａ