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分别通过控制VCD生长时间的方法和在混合的硝酸硫酸中超声氧化碳纳米管的化学剪裁法制备了单壁碳纳米管短路。两种方法都能将大多数碳纳米管的长度控制在500nm以下。拉曼光谱结果表明：在化学剪裁过程中，单壁碳纳米管部分被破坏产生无定形碳杂质；用控制CVD反应时间得到的单壁碳纳米管短管样品比长时间反应得到的长管样品杂质少，且不存在后处理时碳纳米管的破损问题，其纯度比化学剪裁法得到的产品纯度高。