【摘 要】
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本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,温州大学物理系,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点
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本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。
In this paper, MIS capacitive structure, combined with 10keVX ray irradiation test, studied the total dose of HfON and HfO2 dielectric film radiation resistance. The results show that the flat-band voltage drift of MIS structure with HfON thin film as insulation layer is much lower than that of HfO2MIS at the total irradiation dose of 0-30kGy (Si). The mechanism of action of nitrogen on the radiation resistance of high-k hafnium-based dielectric thin films was discussed from the microscopic point of view.
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