离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

• 作 者: 卢殿通 Rysse. H
• 机 构: 北京师范大学低能核物理研究所
• 出 处: 核技术
• 发表日期: 2000年10期
• 关键词: 离子注入 电学性能 SOI薄膜材料 制备 Ion implantation SOI materials Electyical properties
• 基金项目: 国家自然科学基金!（69776006）,,北京市自然科学基金!（4952002）资助

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功能、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示，用分步注入和分步退火制备的ＳＯＩ材料大大地改善了材料的电学性能。