Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析

• 作 者: 王鑫炜 刘宏伟 高克 张赞允 李晓云 宁平凡 王笃祥 牛萍娟
• 机 构: 天津工业大学电子与信息工程学院,天津市光电检测与系统重点实验室,天津三安光电有限公司
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2021年1期
• 关键词: Nano-LED 量子阱应变 极化效应 有限元分析 Nano-LED quantum well strain polarization finite e
• 基金项目: 国家自然科学基金(61504093),国家留学基金委资助访问学者项目(201809345004),天津市科技计划(19JCTPJC48000,18ZXCLGX00090,18JCYBJC85400),天津市教委科研计划(2017ZD06),天津市高等学校创新团队培养计划(TD13-5035)资助项目

通过有限元分析,利用COMSOL软件模拟计算了Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的应变和压电极化分布,并结合模拟得到的量子阱极化电场,采用Silvaco软件计算得到了Nano-LED InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的发光光谱。应变和压电极化分布结果表明,其在距离半极性面量子阱边缘100 nm的范围内变化明显。然而,在半极性面内部,应力释放现象消失,压电极化电场变强,量子限制Stark效应导致InGaN/GaN单量子阱发光强度降低。发光光谱分析表明,60 mA工作