燃烧法制备MgGa_2O_4∶Co~(2+)纳米晶及其发光性能研究

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采用低温燃烧法在500℃成功制备了MgGa2O4及MgGa2O4∶Co2+纳米晶。以推进剂化学为理论依据,对原料的配比进行了理论计算,并通过考察不同点火温度、原料配比对产品质量的影响,找出了合成MgGa2O4的优化条件。X-射线衍射、扫描电镜、透射电镜、荧光光谱等方法对产品表征的结果显示,尖晶石型MgGa2O4晶体是反应生成的唯一晶体,燃烧产生的气体使产品包含大量的气孔;合成的晶体结晶度高,排列规整;掺杂的Co2+取代了MgGa2O4晶体中四面体位上的Mg2+;发射光谱中可见光区和近红外光区两个发射峰分别归因于四面体格位中Co2+的4T1(4P)→4A2(4F)能级跃迁和4T1(4P)→4T2(4F)能级跃迁。 The MgGa2O4 and MgGa2O4: Co2 + nanocrystals were successfully prepared by low temperature combustion at 500 ℃. Based on propellant chemistry, theoretical calculation was made on the ratio of raw materials, and the effects of different ignition temperature and raw material ratio on product quality were investigated, and the optimal conditions for synthesizing MgGa2O4 were found out. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, fluorescence spectroscopy and other methods of product characterization showed that the spinel-type MgGa2O4 crystal is the only reaction generated by the combustion gas generated by the product contains a large number of pores; synthetic crystal crystallization High and regular arrangement; doped Co2 + replaces the Mg2 + tetrahedral sites in the MgGa2O4 crystal; the two emission peaks in the visible and near-infrared region of the emission spectrum are attributed to 4T1 (4P) → 4A2 (4F) level transitions and 4T1 (4P) → 4T2 (4F) level transitions.
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