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VO2是一种新型功能材料，在68℃附近可以发生低温半导体相与高温金属相之间的可逆相变。在光、热的激励下，金属-半导体相变致使光学透过率、电阻率以及磁学等特性发生突变，基于此特性，VO2有着广泛的用途。因此，具有良好性能的VO2薄膜的制备工艺、光电特性成为研究热点。综述了VO2薄膜的基本相变性能，介绍了国内外二氧化钒热致变色薄膜制备的研究进展。