X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟

• 作 者: 张建芳 特木尔巴根
• 机 构: 内蒙古民族大学物理与电子信息学院
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2016年5期
• 关键词: X射线 肖特基 剂量增强系数 蒙特卡罗方法 酞菁氧钛 X-raySchottkydose enhancement factorMonte Carlo metho

用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度