【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm
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采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm的GaP膜,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系.实验表明,GaP厚膜与基体结合性能较好,光学性能亦有所改善;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透过率净增5.69%,足以满足8～11.5 μm增透要求.
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