电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储

• 作 者: 倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠唇
• 机 构: 上海交通大学,上海200030绍兴文理学院,浙江绍兴312000;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海交通大学,上海,200030
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2012年1期
• 关键词: 纳米晶存储器 镍纳米晶 MOS结构 电荷存储特性

研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸7nm,密度1.5×1012/cm2的镍纳米晶.电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性.结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在MOS结构中.