低功耗CMOS带隙基准电压源的设计

• 作 者: 曾健平 文剑 晏敏
• 机 构: 湖南大学应用物理系
• 出 处: 宇航计测技术
• 发表日期: 2004年6期
• 关键词: 带隙基准电压源 低功耗 CMOS 偏置电路 电流镜 电源抑制比 运放 集成温度传感器 显示 输出 Low power dissipationHigh PSRRB

设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;使用CSMC标准0.6 μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围为-50℃～150℃和4.5V～5.5V时输出基准电压变化小于1.6 mV和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温