脉冲激光沉积法制备Ge-Se-Bi硫系玻璃薄膜的结构（英文）

• 作 者: 潘瑞琨 臧浩春 林常规 陶海征 赵修建 章天金
• 机 构: 湖北大学材料科学与工程学院,武汉理工大学硅酸盐材料教育部重点实验室
• 出 处: 材料科学与工程学报
• 发表日期: 2010年5期
• 关键词: 硫系玻璃薄膜 光学带隙 拉曼光谱 chalcogenides films optical Band gap Raman spectra
• 基金项目: supported by the National Natural Science Foundation of China（50972040）, the Fund of Morning Programof Wuhan Science and Technology Bureau（200950431161）

采用脉冲激光沉积法制备了（GeSe2）100-x-Bix（x=0~12）硫系玻璃薄膜。测量了薄膜的光学透射谱、吸收谱和拉曼光谱。薄膜的光学短波吸收边对应于电子的间接带间跃迁,并由此计算出其光学带隙。拉曼光谱分析表明Bi含量的增加,减小了玻璃的平均键能,导致光学带隙由1.94 eV减小到1.11 eV。Tauc斜率由486 cm-1/2eV-1/2减小到178 cm-1/2eV-1/2。退火过程中的热漂白效应减小了玻璃的结构无序性,使得薄膜的光学带隙和Tauc斜率相应增大。