【摘 要】
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利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响,并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征。结果表明:该非晶硅薄膜晶化
【机 构】
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中国科学院金属研究所; 兰州物理研究所; 武汉华硅太阳能科技有限责任公司;
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利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响,并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征。结果表明:该非晶硅薄膜晶化阈值约为110mJ/cm2,且不受照射脉冲数的影响;激光能量密度是影响薄膜结晶度的首要因素,但在较低的能量密度时,增加照射脉冲数也会显著的提高薄膜结晶度;结构及形貌表征发现,薄膜晶化层厚度约为400～500nm,平均晶粒尺寸为30～50nm。
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