【摘 要】
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基片温度低于溅射外延条件 ,采用低溅射功率密度磁控溅射沉积 ,进行后期热处理结晶化 ,制备出膜厚为 30 0 nm的掺铈钇铁石榴石 Ce∶ YIG磁光薄膜。对热处理前后的磁光特性进
【机 构】
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基片温度低于溅射外延条件 ,采用低溅射功率密度磁控溅射沉积 ,进行后期热处理结晶化 ,制备出膜厚为 30 0 nm的掺铈钇铁石榴石 Ce∶ YIG磁光薄膜。对热处理前后的磁光特性进行比较 ,并分析了热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化温度在 650℃附近。热处理后 ,室温下 633nm处其法拉第旋转系数约为 1.9× 10 4 deg/ cm,光吸收系数为 2 50 0 cm-1。
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