ZnO：Al薄膜性质研究

• 作 者: 杨春容 袁正希 薛书文 邓宏
• 机 构: 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学物理电子学院
• 出 处: 湛江师范学院学报
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: 掺铝氧化锌薄膜 C轴取向 光学带隙 结合能 Al-doped zinc oxide thin films c-axis orientation optica

采用溶胶-凝胶法在硅（100）和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌（ZnO：Al）薄膜．当掺Al^3＋浓度小于或等于15％时，得到的薄膜均为单一c轴取向．c轴晶格常数随掺Al^3＋浓度的增加逐渐减小，当掺Al^3＋浓度增至15％时，薄膜c轴晶格常数值减小约0．56％．薄膜的光学带隙随掺Al^3＋浓度的增加而增大，掺Al3＋20％的薄膜光学带隙达到3．99eV．O1s结合能随掺Al^3＋浓度的增加而增大．