高性能InSb霍尔元件的设计

• 作 者: 孙仁涛 于成民 孔海霞
• 机 构: 沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳仪器仪表工艺研究所 沈阳市110043,沈阳市110043,沈阳市110043
• 出 处: 仪表技术与传感器
• 发表日期: 1995年06期
• 关键词: 霍尔元件 InSb 敏感膜 霍尔电压 薄膜型 输出值 软磁材料 无刷电机 正交叉 磁敏传感器

本文主要介绍了薄膜型InSb霍尔元件的芯片图形设计和磁路结构设计,并给出了设计取值范围.元件性能已得到实验验证,其主要参数指标达到了国外同类产品先进水平.

In this paper, the chip design and magnetic circuit structure design of thin film InSb Hall element are introduced, and the range of design value is given.The performance of the element has been verified experimentally, and its main parameters have reached the advanced level of similar foreign products.