【摘 要】
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据《电子材料》(日)2006年第6期报道,日本罗姆公司开发了低损,SiC功率MOSFET。该器件耐压为900V,实现了业界最小的导通电阻3.1mΩ·cm2。SiC功率MOSFET由于沟道阻抗高,所以器
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据《电子材料》(日)2006年第6期报道,日本罗姆公司开发了低损,SiC功率MOSFET。该器件耐压为900V,实现了业界最小的导通电阻3.1mΩ·cm2。SiC功率MOSFET由于沟道阻抗高,所以器件的导通电阻总是要高出理论设计值,如何降低导通电阻是一个尚待解决的课题。这次新开发的器件,其导通
According to “Electronic Materials” (Japan) No. 6, 2006 reported that Japan’s ROHM company developed a low loss, SiC power MOSFET. The device withstands 900V, enabling the industry’s smallest on-resistance of 3.1mΩ · cm2. SiC power MOSFET channel resistance is high, so the device’s on-resistance is always higher than the theoretical design value, how to reduce the on-resistance is a problem to be solved. The newly developed device, which turns on
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以“Cr~(2+)+BPO”体系,在0～40℃下,引发了一系列烯类单体的聚合。该体系引发的活性自由基聚合反应对单体结构有如下的选择性:α-甲基丙烯酸酯类单体在不高于30℃时能进行活性