Preparation and Characterization of Boron Thin Film on Iron Substrate

• 作 者: Ishrat REHANA D.Muhammad S.Ahm
• 机 构: CentralAnalyticalFacilityDivision,PhysicsRadiationDivision
• 出 处: 材料科学技术学报：英文版
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: 硼 化学药品蒸汽沉积物 电子扫描显微镜法 原子发射摄谱仪 吸光度分光光度计 薄膜 Boron Chemical vapor deposition （CVD） S

支持者热 layering 被化学蒸汽免职( CVD )承担在温度的极端纯 CH3OH.The 影响的硼酸的方法使用饱和溶液被在大多数最佳温度被发现是时间的 200 deg C.The 效果的 borondeposition.The 的过程期间从 100～600 deg C 改变温度学习跨度从 6～120 h.The 产生被观察微或nano规模厚度能被完成实验的牛棚 ducing 时间跨度。CVD 的行为被使用扫描电子显微镜，吸收度 spectrohotometer 和原子排放摄谱仪描绘。