InGaAsP/InP双异质结的混合外延生长

• 作 者: 方志烈 许建中 朱萍
• 机 构: 复旦大学物理系,复旦大学物理系,复旦大学物理系
• 出 处: 红外研究
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 外延生长 InGaAsP/InP 异质结 液相外延 汽相外延 衬底温度 表面形貌 外延层 回熔 俄歇能谱仪

本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。

In this paper, the experiment of 1.5μm wavelength InGaAsP / InP double heterojunction junction materials synthesized by a combination of liquid phase epitaxy and vapor phase epitaxy was investigated and the test results were analyzed.