【摘 要】
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硅锗（SiGe）芯片是在基区用锗制作的双极晶体管。SiGe晶体管的工作频率可达40GHz。通常要用砷化钾（GaAs）MESFET（金属半导体场效应晶体管）和PHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）来满足蜂窝电
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硅锗（SiGe）芯片是在基区用锗制作的双极晶体管。SiGe晶体管的工作频率可达40GHz。通常要用砷化钾（GaAs）MESFET（金属半导体场效应晶体管）和PHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）来满足蜂窝电话中低噪声放大器（LNA）的要求。可惜，MESFET和PHEMT功耗虽低，但不具有非常良好的
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