【摘 要】
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日立电线公司称,他们研发了间隙形成剥离法(void as sisted separation,VAS)技术推后了现有GaN生长的边界,现已成功制作了3英寸GaN衬底。这项新的VAS技术,首先在蓝宝石衬底上
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日立电线公司称,他们研发了间隙形成剥离法(void as sisted separation,VAS)技术推后了现有GaN生长的边界,现已成功制作了3英寸GaN衬底。这项新的VAS技术,首先在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,在GaN层上沉积钛金属后,将其置于含氢混合气体中,加热到适当温度使GaN分解,GaN薄膜与金属
Hitachi Electric said they have developed the void as sisted separation (VAS) technology to push the boundaries of existing GaN growth and have now successfully fabricated 3-inch GaN substrates. The new VAS technology first grows a GaN film on a sapphire substrate, deposits titanium on the GaN layer, places it in a hydrogen-containing gas mixture, heats it to the proper temperature to decompose the GaN, and combines the GaN film with the metal
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