【摘 要】
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利用第一性原理对硼的高压相γ-B28的能带结构、态密度、分态密度、布居数分布和弹性性质进行研究。研究结果表明：γ-B28具有半导体能带结构的特征,是具有宽间接带隙的半导体
【基金项目】
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教育部高等学校博士点专项科研基金资助项目（20070533075）, 湖南省科技计划项目（2009FJ3004）
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利用第一性原理对硼的高压相γ-B28的能带结构、态密度、分态密度、布居数分布和弹性性质进行研究。研究结果表明：γ-B28具有半导体能带结构的特征,是具有宽间接带隙的半导体材料,且整个带结构由杂化的硼原子2p态和2s态组成,在价带低能段及高能段的？14.5~？11.5 eV区域,硼2p态和2s态对总态密度的贡献大体相当,而在价带高能段的？11.5~0 eV区域及整个导带,对总态密度的贡献主要来源于2p态电子;γ-B28中的化学键具有共价和离子混合键的特征,且共价特征占主导地位;γ-B28单晶弹性常数cij满
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