基于载流子注入的SOI4×4MMI-MZ光开关阵列

• 作 者: 杨健 陈伟伟 王皖君 王明华 杨建义
• 机 构: 浙江大学信息与电子工程学系唐仲英传感材料与应用研究中心,宁波大学信息学院,贵州大学理学院
• 出 处: 光电子．激光
• 发表日期: 2013年1期
• 关键词: 光开关阵列 马赫-曾德(MZ) 多模干涉(MMI)耦合器 SOI 载流子色散 optical switch matrix Mach-Zehnder （MZ）
• 基金项目: 基金项目：国家自然科学基金（60977043）和国家“863”计划（2012AA012203）资助项目

采用0．8μmCMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI4×4马赫-曾德（MZ）光开关阵列，其由4个2×2基于多模干涉（MMI）耦合器的MZ（MMIMZ）光开关单元组成。通过对调制臂施加电压，利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实现开关功能。测试结果表明，当输入光为1510～1580nm的宽带光源时，光开关阵列的不同路径间的串扰低于-8．02dB，支持的公共带宽为35nm（1530～1565nm），开关阵列的上升和下降时间分别为17．4ns和21ns。