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提出了一种新的晶体管级时延模拟方法,为了保证模拟的精度,综合考虑了存在于短沟道晶体管中的短路电流、输入/输出耦合电容和载流子速度饱和等效应对MOSFET晶体管沟道电流的影响,针对经典的ALPHA沟道电流分析模型(Alpha-Power-Law)进行了改良,以达到精确计算沟道电流的目的·该方法通过改良的节点分析方程(MNA)计算逻辑门的输出波形,以获得逻辑门的时间延迟和跳变时间·所开发的晶体管级时延模拟器性能优越,当逻辑门中某一晶体管的一个参数(如沟道长度、宽度或阈值电压VT0)改变后,模拟器可以快速