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不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n~+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子束曝光法使栅长缩短到亚微米,其关键是利用