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来源 :半导体学报 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增
【作 者】
:
龙永福
朱自强
赖宗声
忻佩胜
石艳玲
【机 构】
:
华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系 上海200062,2常德师范学院物理系,常德415000,上海200062,上海200062,上海2
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2002年06期
【关键词】
:
微波/射频
多孔硅/氧化多孔硅
介质膜
损耗
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