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期刊论文
场发射金属尖陈列的研究
场发射金属尖陈列的研究
来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caibin1226
【摘 要】
:
本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺(反向)和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列,这为今后研制金属阴极真空微电子器件
【作 者】
:
唐国洪
陈德英
【机 构】
:
东南大学微电子中心
【出 处】
:
电子器件
【发表日期】
:
1997年4期
【关键词】
:
硅
各向异性腐蚀
真空微电子器件
电子器件
metaltipfiledemissionarraysanisotropiccallyetchingofsilico
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本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺(反向)和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列,这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径。
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