【摘 要】
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采用正交实验的方法对碱各向异性腐蚀制备单晶硅绒面进行了优化,制备的硅片样品绒面反射率为1107%,在表面沉积减反射膜(ARC)后的平均反射率为2.56%.制绒液中NaOH的质量分数为
【机 构】
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采用正交实验的方法对碱各向异性腐蚀制备单晶硅绒面进行了优化,制备的硅片样品绒面反射率为1107%,在表面沉积减反射膜(ARC)后的平均反射率为2.56%.制绒液中NaOH的质量分数为1%～3%时,制备的单晶硅绒面反射率较低.Na2SiO3的存在为反应提供了更多的起始点,所制作的绒面排列更为紧密.IPA可以加速反应产生的氢气泡从硅片表面逃逸,减弱NaOH的腐蚀强度,获得良好的各向异性因子.随着制绒反应时间延长,硅片表面的金字塔长大,反射率降低,这个过程是金字塔不断长大和被削平的过程.常温下难以制得绒面,要在减少醇挥发的情况下尽量提高反应温度.
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