全耗尽绝缘硅FD—SOI工艺技术酌特点分析

• 作 者: 孔文
• 机 构: 深圳市安芯易电子有限公司
• 出 处: 集成电路应用
• 发表日期: 2017年11期
• 关键词: 集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI integrated circuit manufacturing fully depleted silicon on
• 基金项目: 上海市软件和集成电路产业发展专项基金（2016.160220）.

在先进的IC制造工艺方面，由Intel主导的FinFET一直大行其道。而最近这几年，SOI，包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注，特别是随着物联网和5G时代的到来。其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面，总的来说，FinFET的目标市场是中高端的高性能集成电路，而FD—SOI则是面向中端的、要求低功耗和高性价比的应用。