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为了制备单晶Ni衬底，将大约100nm厚的牺牲外延铜层电沉积在单晶镍基极层上，然后再沉积一个10～50μm的外延镍层，利用选择性的腐蚀去除铜层，把顶部的Ni层从基极层上分离。和初始材料一样，自由无束缚的Ni膜就成为具有良好织构的单晶层。这种Ni膜适用于制备高温超导带材，同时基极层能重复使用制备更多薄膜。