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文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度，对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型I－V特性作了分析。
半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管（HEMT）
【摘 要】
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文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度，对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型I－V特性作了分析。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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物理
【发表日期】
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2001年4期
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