掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究

• 作 者: 李喆 张溪文 韩高荣
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2009年2期
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙 Plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划（No.2007CB613403）（973计划）、浙江省科技计划项目纳米技术攻关及示范应用专项（N0.2006C11118）、高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目（No.705026）

本文通过等离子体增强化学气相沉积（PFCVD）法沉积p型纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统地研究了掺杂气体比（B2H6/SiH4）、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明，轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化，但随着掺硼量的增加，硼的“毒化”作用又使薄膜变为非晶态；与P型a-Si：H相比，掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高，电导率较高，电导激活能较低，是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料。