高电流密度脉冲电解制备纯铜的研究

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在小型电解槽中研究高电流密度脉冲电解制备纯铜的工艺条件,并用XRD、SEM及等离子体质谱仪研究杂质对阴极铜沉积的结构和组成的影响.研究表明:30℃时,脉冲电解制备纯铜的工艺条件为:平均电流密度800A/m2,峰电流密度4 000A/m2,脉冲宽度2.0ms,脉冲频率100Hz,占空比1∶4.不用添加剂时,电解液中有害杂质的允许含量为(g/L):As5+≤0.03、Sb3+≤0.005、 Bi3+≤0.005 ;用添加剂(mg/L):Cl- 3.0、(NH2)2 CS 0.75~1.0、 glue 1.0~
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