【摘 要】
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我们设计研究了p~+/p/n结构的硅光伏探测器。由于UVC波段的辐射在硅中的透入深度很浅,约10nm,光生载流子绝大多数都在表面附近产生。所以,减少表面复合与重掺杂区的俄歇复合
【机 构】
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武汉大学,武汉大学,武汉大学,武汉大学
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我们设计研究了p~+/p/n结构的硅光伏探测器。由于UVC波段的辐射在硅中的透入深度很浅,约10nm,光生载流子绝大多数都在表面附近产生。所以,减少表面复合与重掺杂区的俄歇复合损失,以及防止重掺杂引起的能隙收缩是极为重要的。所研制的p~+/p前表面高低结对于减少表面损失增大紫外波段的响应率是有
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