【摘 要】
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用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射
【机 构】
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西安理工大学应用物理系,西安理工大学应用物理系 西安710048,西安710048
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用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV .分析表明 ,开关对波长为 15 5 3nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用 .
Experiments on semi-insulating GaAs photoconductive switches triggered by 15 5 3nm femtosecond fiber lasers show that when the photoconductive switch is in a DC bias field of 3 33 ~ 10 3kV / cm and is excited by a pulse width of 200fs and a single pulse energy of 0 2nJ When the laser pulse is irradiated, the switch behaves as a linear operating mode and the peak output voltage of the switch is 0 8mV. The analysis shows that the weak photoconductivity induced by the switch on the 1535nm laser pulse is caused by the deep level of the semi-insulating GaAs material EL2 Role.
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