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半导体材料及其它的新型功能材料由于其独特的性能,在电子工业、耐高温结构陶瓷、光催化等方面得到越来越多的应用,近些年来广泛受到科研工作者的关注。发展新合成方法、合成新结构、探索新性能及其应用是当今重要的研究内容。本论文采用无机热熔法合成氮化硼和氮化镓纳米材料,溶剂热法制备ZnS纳米材料。通过X射线粉末衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、透射电镜、热重分析和紫外光催化仪等进行了产物的物相结构、形貌和性能测试。主要研究内容和结果归纳如下:（1）实验分别以三水合四硼酸铵、硼氢化纳、硼酸为硼源,氯化铵、盐酸肼为氮源,镁粉为还原剂合成BN纳米材料。以氧化镓为镓源,氯化铵为氮源,镁粉为还原剂,在高压釜中反应合成GaN纳米材料。在500℃-650℃的温度下,反应原料在不锈钢高压釜中反应生成目标产物。并且实验讨论不同的原料配比、反应温度、反应时间对产物的物相结构和形貌的影响。实验结果表明:最佳反应条件为650℃、8小时,产物为六方BN和六方GaN纳米晶体,与其它常压合成方法相比反应温度低约400℃。并且合成的GaN纳米材料在300W的汞灯的紫外光照射下对罗丹明溶液具有很好的光催化氧化分解作用。（2）本实验采用溶剂热法以氯化锌、硫代乙酰胺为原料制备ZnS微米球。从扫描电镜图中观察可知:ZnS微米球是由ZnS纳米颗粒组装而成的3D多级结构。讨论不同的反应溶剂、反应温度、反应时间对产物的组成和形貌的影响。实验结果表明:在200℃、5小时,水为溶剂的条件下,反应合成出结晶度很好的立方ZnS纳米颗粒。在此基础上,对ZnS进行Mn2+、Cu2+、Cd2+等离子掺杂,研究其紫外光催化性能。其中Cd2+掺杂对ZnS微米球的光催化性能有促进作用,在300W的汞灯的紫外光照射下2小时就可以对100ml RhB溶液(10-5 mol/L)有完全降解作用。