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自从S.Datta和B.Das在1989年从理论上提出自旋场效应管的模型以来，自旋注入半导体受到大家广泛的关注。本文就自旋注入半导体的机制，注入效率的测量以及注入效率与偏压的关系作了一些调研和研究。
在第二章中，从基本的概念出发，介绍一下理论上描述自旋注入和输运的常用的一些方法，包括扩散方程的方法和量子隧穿的理论。
在第三章中，提出了一种自旋注入效率的测量新方法。在小偏压的情况下，得到隧道磁电阻(TMR)与自旋注入效率η的关系，TMR=η2，从而测量出TMR就可以得到自旋注入效率的大小。
在第四章中，从自由电子模型出发，研究了自旋注入效率和TMR与偏压的关系。