【摘 要】
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新型负热膨胀(Negative Thermal Expansion简称NTE)材料ZrW_2O_8具有负热膨胀系数大、各向同性且响应温度范围宽等特点，在电子学、光学、通信、医学、日常生活等方面具有广阔的应用前景。但是目前国际上研究较多的为粉体、块材，而对ZrW_2O_8薄膜材料的研究还鲜有报道。 本研究中，使用射频磁控溅射法制备ZrW_2O_8薄膜，所用靶材为ZrO_2和WO_3混合陶瓷靶。
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新型负热膨胀(Negative Thermal Expansion简称NTE)材料ZrW_2O_8具有负热膨胀系数大、各向同性且响应温度范围宽等特点，在电子学、光学、通信、医学、日常生活等方面具有广阔的应用前景。但是目前国际上研究较多的为粉体、块材，而对ZrW_2O_8薄膜材料的研究还鲜有报道。 本研究中，使用射频磁控溅射法制备ZrW_2O_8薄膜，所用靶材为ZrO_2和WO_3混合陶瓷靶。通过调节溅射气压、溅射气氛、后热处理温度及气氛等实验参数，以期获得纯度较高的Zr
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