低维强关联体系噪声的研究

• 作 者: 武艳菊
• 机 构: 北京工业大学
• 出 处: 北京工业大学
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: 低维强关联体系噪声 凝聚态物理学 Luttinger液体相耦合 非平衡格林函数方法

随着纳米技术的发展，介观体系的研究已经成为凝聚态物理学的一个新领域，特别是低维体系的电子输运研究引起了物理学家们的兴趣，尤其噪声能够提供更多在电导测量中得不到的信息。量子线、量子点等介观体系是纳米电子器件基本的组成单元，另一方面，由于量子点的参数易于调节，人们可以用量子点来研究以前难以触及的实验领域，深入理解它们的物理性质对于技术应用有着重要的意义。本论文运用非平衡格林函数方法研究了量子点体系在外界交流场驱动下的噪声和Fano因子的性质，得到了一些有意义的新结果。这些结果有助于进一步认识与理解低维体系中的电子强关联问题。　　首先，我们研究了与Luttinger液体相耦合的量子点光子辅助噪声研究。我们运用非平衡格林函数方法和运动方程方法得到了普适的光子辅助噪声公式，并详细研究了Luttinger液体导线内电子间的相互作用和交流参数对噪声的影响，发现在导线内电子弱相互作用区，光子辅助隧穿的非弹性散射能够统治电子输运机制，而在线内强电子相互作用下，噪声随偏压的变化出现幂率行为。Fano因子随交流振幅增强而增大。　　其次，我们研究了在外界交流场下近藤区的量子点体系的噪声。我们运用非平衡格林函数方法和非交叉近似方法得到了噪声公式，详细研究交流外场参数和温度对噪声和Fano因子的影响，数值结果显示在低温和低频的条件下微分噪声出现了明显的台阶，随着温度的升高，台阶的结构逐渐消失。我们也发现Fano因子随着交流频率的增大而增大。这些结果显示我们可以通过调节外界参数来提高Fano因子。