【摘 要】
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在该论文的工作中,我们发展了一种化学气相沉积两步异位退火制备MgB超导薄膜的新方法.这种新方法制备MgB超导薄膜的基本过程为:先以BH为B源在衬底上化学气相沉积先驱B薄膜;然后先驱B薄膜在Mg蒸气中高温退火形成MgB超导薄膜.采用这种新方法成功地在AlO多晶和单晶衬底上制备了MgB超导薄膜.在多晶AlO衬底上制备的典型MgB超导薄膜,起始转变Tcon~35K,零电阻温度T~24K.在优化条件下制备
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在该论文的工作中,我们发展了一种化学气相沉积两步异位退火制备MgB<,2>超导薄膜的新方法.这种新方法制备MgB<,2>超导薄膜的基本过程为:先以B<,2>H<,6>为B源在衬底上化学气相沉积先驱B薄膜;然后先驱B薄膜在Mg蒸气中高温退火形成MgB<,2>超导薄膜.采用这种新方法成功地在Al<,2>O<,3>多晶和单晶衬底上制备了MgB<,2>超导薄膜.在多晶Al<,2>O<,3>衬底上制备的典型MgB<,2>超导薄膜,起始转变Tcon~35K,零电阻温度T<,c0>~24K.在优化条件下制备在单晶Al<,2>O<,3>衬底上的MgB<,2>超导薄膜,起始转变温度和零电阻温度分别为Tcon~39K和T<,c0>~37K;残余电阻比率RRR~1.8,正常态电阻呈现金属行为;根据扫描电子显微镜观察和X射线衍射分析,薄膜表面光滑平整,晶形完整;晶粒取向垂直于衬底表面沿c轴方向排列.
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