【摘 要】
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一维半导体纳米线阵列结构在电子、光电子、能源等领域具有重要的应用前景，在近年受到人们的广泛关注。目前制备一维半导体纳米阵列主要采用同质/异质外延和模板法这两种方法，但在外延法中获得晶格匹配的衬底较为困难，而模板法得到纳米阵列的结晶质量较差，这些因素限制了半导体纳米线阵列的实际应用。因此发展一种通用、低成本的半导体单晶纳米线阵列的合成方法对于促进其应用具有重要意义。在此论文工作中，我们发展了一种纳米
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一维半导体纳米线阵列结构在电子、光电子、能源等领域具有重要的应用前景，在近年受到人们的广泛关注。目前制备一维半导体纳米阵列主要采用同质/异质外延和模板法这两种方法，但在外延法中获得晶格匹配的衬底较为困难，而模板法得到纳米阵列的结晶质量较差，这些因素限制了半导体纳米线阵列的实际应用。因此发展一种通用、低成本的半导体单晶纳米线阵列的合成方法对于促进其应用具有重要意义。在此论文工作中，我们发展了一种纳米孔诱导的硒化镉（CdSe）纳米线阵列的合成方法，此方法具有通用性，适合一系列半导体纳米线阵列的生长。具体
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