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该文讨论了一种以SiGe合金层为阳极区材料的窄禁带阳极新型横向绝缘栅双极型昌休管(SiGe-Anode-LIGBT).文章首先对P+SiGe/N-Si异质结二极管的少数载流子注入模型进行了讨论详细地分析了二极管在小注入、大注入情况下的J-V特性,为进一步讨论SiGe-A-LIGBT器件模型打下基础.文章全面深入地研究了SiGe异质阳极LIGBT器件的工作原理和器件模型.基于工艺仿真和国内实际工艺水平,制作了SiGe异质阳极LIGBT及相关的SINFET、LIGBT、LDMOS四种器件.得到了关断时间远小于100ns的SiGe-A-LIGBT器件.与具有相同工艺参数的SINFET、LDMOS、LIGBT进行比较,所得的实验结果与模拟及分析结果相符,从而证明了解析分析模型的正确性.从实验结果可知,SiGe-A-LIGBT有比LIGBT快很多的开关速度,同时又有比LDMOS小的导通电阻,在四种器件中SiGe-A-LIGBT具有最大的优值,确实是一种应用优势比较明显的新型功率器件.