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SnO2半导体气敏传感器因其具有结构简单，成本低廉，灵敏度高，工艺成熟等优点，被广泛用于可燃性气体、有毒气体的检漏报警，以及环境气体的监控等领域。本文采用溶胶-凝胶提拉法以无机金属盐SnCl2·H2O为原料，制备纳米晶SnO2薄膜。通过Sb、Ag和Si等元素掺杂，来降低工作温度、提高灵敏度，从而得到较高气敏性的纳米晶SnO2薄膜。 研究了热处理温度、薄膜层数、pH值、溶胶浓度等因素对SnO2薄膜气敏性能的影响。实验结果表明，溶液浓度为0.6mol/L、pH值2.5、陈化4天，薄膜层数为6层，烧结温度为570℃时所得纳米晶SnO2薄膜性能较好，检测温度320℃时，检测1000ppmH2灵敏度达到2.30。 分别研究了Cu和Sb掺杂对SnO2薄膜气敏性的影响。实验结果表明，Sb和Cu的掺杂都可以提高SnO2薄膜的气敏性，其中Sb的掺杂效果较好。当Sb的掺杂含量为3％时，检测温度320℃时，检测1000ppmH2灵敏度达到2.95。 为了进一步提高SnO2薄膜的气敏性，研究了Sb和Ag的复合掺杂对SnO2薄膜气敏性的影响。实验结果表明，Sb和Ag的复合掺杂可以进一步提高SnO2薄膜的气敏性。当Sb和 Ag的掺杂含量分别为3%和1%时，检测温度290℃时，检测1000ppmH2灵敏度达到3.61。 为了降低检测温度，研究了Sb、Si和Ag复合掺杂对SnO2薄膜气敏性的影响。实验结果表明，Sb、Si和Ag的复合掺杂可以降低SnO2薄膜的检测温度。当Sb、Si和Ag的掺杂含量分别为3%、1%和1%时，检测温度260℃时，检测1000ppmH2灵敏度达到3.52。 采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）等测试手段，对掺杂前后的SnO2气敏薄膜晶型、晶粒大小等进行了分析。结果表明，所得纳米晶SnO2薄膜为金红石晶相，Cu、Sb、Si和Ag的掺杂降低了薄膜晶粒尺寸，增加了孔隙率和比表面积，其中Sb、Ag和 Si的复合掺杂晶粒尺寸为10~15nm。