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近些年,随着半导体材料的不断涌现,第二代、第三代半导体中的Ga As、Ga N逐渐成为研究的热点,它们具有直接带隙的性质和宽带隙的特点,并且耐压特性好、电子迁移率较高、结构和性质稳定,因此成为了辐射伏特效应核电池领域换能器件材料的研究对象。而应用于极端环境中的核电池如在深空极地中,考虑宇宙高能射线和内部放射源造成的半导体辐照损伤对辐射伏特效应核电池的研究有重要意义。辐照粒子与半导体材料作用会带来电离损伤和位移损伤,而位移损伤带来的永久性缺陷将会在半导体内部引入缺陷能级,这些缺陷会改变材料的能带结构、