用原子力显微镜研究TiO等电子材料表面结构

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  本文简要介绍了原子力显微镜的工作原理以及特点,并对原子力显微镜的安装调试的关键技巧和操作体会做了详细的介绍。   本文应用新安装的AFM观察不同制备条件下得到的TiO2薄膜的表面形貌,希望找出它们与低辐射薄膜的红外透过性质以及微观结构的联系。   以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有高度迁移率和比硅更优异的光电子等性能,许多国内外关于这类材料的研究和应用一直是热门课题。当用在激光和电子集成技术等方面时,材料表面损伤层及产生的缺陷(如位错、层错等)对其性能有极大的影响。   因为正电子湮没谱测量能直接给出缺陷的信息,我们用正电子寿命谱测量不同表面粗糙度的GaAs样品,讨论了表面形貌对常规正电子寿命测量结果的影响。
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