【摘 要】
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本论文主要对HBT器件与电路工艺、新结构InGaP/GaAs HBT以及射频功率放大器的研制进行研究.针对制约HBT性能提高的主要非线性因素C,我们采取了自对准发射极、LEU(Laterally E
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本论文主要对HBT器件与电路工艺、新结构InGaP/GaAs HBT以及射频功率放大器的研制进行研究.针对制约HBT性能提高的主要非线性因素C<,bc>,我们采取了自对准发射极、LEU(Laterally Etched Undercut)技术,提高了晶体管的频率特性.采用了发射极镇流电阻、发射极空气桥、热沉等技术,有效的缓解了HBT的热失效.开发了一套实用的HBT背面工艺流程以克服HBT发射极寄生引线电感的影响.在国内首次开发出截止频率超过100GHz的GaAs HBT.提出的具有U形发射极的新结构InGaP/GaAs HBT在基于HP4155A半导体参数分析仪、Agilent IC-CAP测试系统显示具有优异的直流特性和高频特性.U形发射极的HBT在具有较低的拐点电压(V<,knee>)和残余电压(V<,offset>)的同时,具有较高的击穿特性,因而适用于低功耗领域和大功率应用.它的截止频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz,适合超高速电路的应用.针对小信号时产生的增益压缩,提出了一种新结构的线性化器,有效地提高了线性度.基于三管单胞提取的大信号模型,采用功率倒退法、预失真技术以及新型线性化器,成功的设计出CDMA功率放大器、预失真放大器和ISM频段中功率放大器.并对寄生参量对功放性能的影响给予了分析,并提出了解决措施.最后完成了功率放大器测试用PCB板的开发.
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