【摘 要】
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随着微电子技术的飞速发展,压电晶体器件特征尺寸不断减小,对元器件衬底材料表面洁净度的要求越来越高。为了确保元器件产品的成品率,超精密清洗是十分必要的工序。传统的清
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随着微电子技术的飞速发展,压电晶体器件特征尺寸不断减小,对元器件衬底材料表面洁净度的要求越来越高。为了确保元器件产品的成品率,超精密清洗是十分必要的工序。传统的清洗方法采用的是有机溶剂单槽浸泡的清洗工艺,该工艺消耗大量的化学试剂,清洗效率低,成本高,对人和环境不友好。本论文根据水基清洗原理,通过研究压电石英晶片衬底材料表面污染物组成,研发了一种由表面活性剂为主,具有高效、安全、环保等优点的水基清洗剂。本文通过对多种表面活性剂除油效率和表面张力的研究,探索了阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂之间的复配增效作用,得到五组清洗效率较高的复配组合。通过研究单一组分表面活性剂的泡沫性能,在不加入消泡剂的前提下,采用复配抑泡技术得到起泡低、消泡快的复配组合。研究了复配阴离子表面活性剂A和复配非离子表面活性剂B的除油效率、表面张力和泡沫性能,确定了清洗剂AFT-101的配方组成。并通过考查清洗温度、时间和浓度对清洗剂去污效率和除油效率的影响,确定了最佳去污清洗工艺和除油工艺为温度60℃,浓度5%,时间5min。采用多槽超声波清洗工艺,研究了清洗温度、时间和浓度对石英晶砣脱片效率和清洗后晶片表面平均接触角的影响。确定了清洗剂实验室最佳脱片工艺为温度60℃,浓度5%,时间10min；最佳清洗工艺为温度60℃,浓度5%,时间5min。采用AU清洗技术,研究了清洗后晶片表面形貌和接触角,并通过FTIR显微红外和SEM-EDS能谱对晶片表面进行微量测试分析,结果表明石英晶片采用AU清洗技术清洗后表面没有有机污染物和其它杂质金属,有较高的洁净度。
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